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ALD原子层沉积设备
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太阳能ALD原子层沉积设备

  一. 产品介绍

  太阳能ALD原子层沉积是通过将气相前躯体TMA和H20(或TMA和O3脉冲交替地通入反应腔室内并在沉积基体上化学吸附反应生成沉积膜AL2O3的一种设备,主要应用到光伏PERC、TOPCON等新型工艺上,用于提高太阳能电池片的转换效率。

  

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  二.ALD技术的主要优势:

  1.前躯体是饱和化学吸附,保证生成大面积均匀性的薄膜。

  2.可以沉积多组份纳米膜层和混合氧化物

  3.薄膜生成可在低温(室温到300度)下进行。

  4.可以通过控制反应周期数简单 的控制薄膜的厚度,形成达到原子层厚度精度的薄膜。

  5.可广泛适用于各种形状的基体

  三.基本参数

成膜种类

Al2O3

气体种类

TMAH2 OO3N2

工艺温度

150~300

成膜厚度

2-10nm可控

Al2O3膜厚均匀性

片内≤2%  片间≤3%  批间≤3%

产能

6000-12000/h

真空度

5Pa

气路系统气密性

1×10-7pa.m3/s

TMA耗量

12g/h

碎片率

0.05%

Uptime

>98%

保养周期

6个月保养一次

氮气需求

优于99.999%

  本设备配备在线插片系统

  本设备配备TMA尾气预处理系统

  

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