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高温管式低压扩散炉
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高温管式低压扩散炉

  摘要

  主要用于半导体工艺制造中硅片的掺杂工艺。

  产品介绍

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  产品名称:低压管式高温扩散炉

  设备用途:主要用于半导体工艺制造中硅片的掺杂工艺。

  设备特点:

  1、可配工艺管数为五管;

  2、磷源节约70%,氮气节约95%,COO优势明显;

  3、产能≥400片/管 ;

  4、可在原有扩散炉上升级改造;

  5、适用于磷扩和硼扩工艺;

  6、炉门密封采用双层结构,确保腔内压力稳定;

  7、可选配(MES接口、自动上下料、上下位机控制、在线倒片机构)。

  核心技术参数

  8、适用硅片尺寸:2~8英寸及非标尺寸硅片;

  9、工作温度范围:600~1286℃;

  10、恒温区长度及精度:±0.5℃/1300mm;

  11、气体流量控制精度: ±1%F.S;

  12、气路系统气密性:1×10-7pa.m3/s;

  13、真空系统漏率:≤4mbar/min(冷态)≤6mbar/min(热态);

  14、压力调节范围:30~800mbar,连续可调;

  15、五点PROFILE热偶串级控温。