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LPCVD低压化学气相沉积设备

发布日期:2019/06/25

  低压化学气相沉积设备

  设备简介:

  LPCVD(低压化学气相沉积设备)

  LPCVD用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并积淀形成固定固体薄膜,目前主要使用方向为:TOPCON与POLO(POLY-SI)电池工艺技术。

  1、设备参数:

  设备管数:5管/台

  石英管口径:φ400mm(内径)

  单舟装片量:1200片/管

  单台设备产能:(156mm×156mm)≥60MW

  工艺种类:氧化+Poly

  2、适应硅片数据:

  硅片尺寸:125mm×125mm(±0.5mm)、156mm×156mm(±0.5mm)、156.75mm×156.75mm(±0.5mm)

  硅片厚度:160~220um,亦可适用于超薄硅片。

  3、热学数据:

  控温方式:6点SPIKE+PROFILE串级控制

  工作温度范围:350~850℃

  温度稳定性:≤±1℃

  恒温区长度:1400mm

  恒温区精度(静态闭管测试):≤±1℃

  升温时间:从室温到700℃<30min

  升温速率:≥15℃/min

  4、膜厚均匀性:(参考,根据膜厚)

  片内:≤±4%

  片间:≤±4%

  批间:≤±3%

  5、真空系统:

  压力控制:闭环自动控制

  淀积压力范围:100-300Pa(连续可调)

  系统极限真空:≤2Pa

  恢复真空时间:AP-10Pa<3min

  漏气率:≤2Pa/min

  真空泵:干式真空机组

  6、气路系统:

  工艺气体流量控制:数字式质量流量计(MFC)

  气体流量设定精度:≤±1%FS

  工艺气体:O2,N2,SIH4

  进气方式:每台LPCVD设备气体入口喷淋装置确保管内气场分布均匀,进气方式为多段进气模式,以确保成膜均匀性。

  7、可连接在线插片系统

  8、有效解决绕度问题